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Selon le pronostiqueur Twitter RGcloudS (via Wccftech), dont le compte est suivi par le pronostiqueur fiable Ice Universe, le chipset non annoncé Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3, qui alimentera probablement la série Galaxy S24 l’année prochaine, pourrait voir une augmentation de 15% de la vitesse d’horloge pour le X-4 haute performance par rapport au cœur X-3 utilisé sur le Snapdragon 8 Gen 2. La version du chipset utilisée sur la gamme Galaxy S23 comprend un cœur X-3 overclocké fonctionnant à 3,36 GHz.
Cela signifierait donc que le cœur X-4 du Snapdragon 8 Gen 3 pourrait présenter une vitesse d’horloge de 3,70 GHz. Jusqu’à ce que les spécifications soient officiellement annoncées, nous ne savons pas si la version Galaxy du chipset bénéficiera également de la même hausse de 15 %. Si tel est le cas, cela porterait le cœur X-4 de la version Galaxy de la puce à 3,86 GHz. RGcloudS indique que la vitesse d’horloge du Snapdragon 8 Gen 3 dépassera celle du Apple A17 Bionic SoC devrait faire ses débuts dans l’iPhone 15 Pro et iPhone 15 Ultra plus tard cette année.
Plus important encore, le pronostiqueur affirme qu’avec la hausse de 15 % de la vitesse d’horloge du X-4, les performances du Snapdragon 8 Gen 3 augmenteront davantage par rapport à l’amélioration observée dans la génération actuelle de la puce. Il déclare que Qualcomm s’en tiendra à la configuration de base 1-4-3 trouvée sur la puce actuelle.
Le Snapdragon 8 Gen 2 standard est doté d’un cœur haute performance X-3 cadencé à 3,20 GHz
Cela donne au Snapdragon 8 Gen 3, comme son prédécesseur, un cœur haute performance, quatre cœurs de performance et trois cœurs d’efficacité. Le Snapdragon 8 Gen 1 de première génération présentait une configuration 1-3-4 avec un cœur de performance en moins et un cœur d’efficacité supplémentaire. La différence est que la vitesse d’horloge dans le cœur haute performance a été augmentée de 6,6 % entre les deux premières générations de silicium, contre 15 % que nous prévoyons de voir avec le composant à venir.
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Fait intéressant, le pronostiqueur dit que la prochaine puce pourrait être produite à l’aide du nœud de processus 4 nm de TSMC au lieu de passer à 3 nm. La production de puces Apple utiliserait toutes les capacités 3 nm de TSMC cette année, ce qui signifie que le Snapdragon 8 Gen 3 pourrait être produit en utilisant le nœud 4 nm à moins que Qualcomm ne se tourne vers Samsung Foundry pour fabriquer le chipset. Qualcomm a fait des allers-retours auparavant, et les rendements de 3 nm de Sammy se sont soi-disant améliorés, ce qui pourrait donc être une option.
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