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La résolution de 8 nm de l’EXE:5000 signifie que les fabricants de puces peuvent regrouper plus de transistors dans une seule puce. Les transistors plus petits sont plus économes en énergie, ce qui signifie que les puces pourront faire plus avec moins.-ASML
La nouvelle machine EUV High-NA est dotée d’un objectif à ouverture numérique (NA) de 0,55, ce qui lui confère une résolution de 8 nm par rapport à la résolution des machines actuelles de 13 nm (0,33 NA). Cela signifie que les nouvelles machines peuvent imprimer des transistors 1,7 fois plus petits, ce qui donne des densités de transistors 2,9 fois plus grandes avec une seule exposition. Le résultat? Puces plus puissantes ou économes en énergie. Les nouvelles machines peuvent également imprimer 185 tranches par heure, soit 220 d’ici 2025. Cela se compare aux 160 tranches par heure pouvant être imprimées avec les machines EUV actuelles.
Les machines EUV Low-NA actuelles peuvent produire la même résolution, mais seulement après que deux expositions ont été réalisées en utilisant un double motif. Cependant, la double configuration comporte des risques, notamment des temps de production plus longs et un risque accru de survenue d’un défaut. Cela peut également entraîner une variabilité des performances entre les puces fabriquées.
Les miroirs du High-NA EVU sont testés chez ZEISS
ASML n’hésite pas à vous expliquer ce qui peut mal se passer avec la double modélisation, car elle préférerait que les fonderies dépensent le plus d’argent sur les machines les plus récentes. Mais le nœud de processus N3B de TSMC, qui repose soi-disant sur une double configuration, a été utilisé pour fabriquer le processeur d’application A17 Pro utilisé sur tous ces processeurs. iPhone 15 Pro et iPhone 15 Pro Max unités fabriquées par Apple et la puce M3 utilisée pour alimenter les Mac haut de gamme. ASML affirme que ses clients viennent tout juste de faire leurs recherches sur l’EUV High-NA.
À terme, TSMC, Samsung Foundry et d’autres devront rejoindre Intel et commencer à réaliser les investissements nécessaires pour passer à l’EUV High-NA. Ce moment pourrait bientôt être venu, TSMC et Samsung cherchant à démarrer la production en 2 nm en 2025 pour passer à la production en 1,4 nm en 2027.