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Plus le nœud de processus est petit, plus la fonctionnalité définie dans les puces comprenant des transistors est petite. Des transistors plus petits signifient qu’un plus grand nombre d’entre eux peuvent tenir à l’intérieur d’une puce et plus le nombre de transistors d’une puce est élevé, plus il est puissant et économe en énergie. À titre d’exemple rapide, la gamme iPhone 11 utilisait le 7nm A13 Bionic qui contenait 8,5 milliards de transistors. Les modèles d’iPhone 14 Pro sont équipés de l’A16 Bionic qui est fabriqué à l’aide de la troisième amélioration de 5 nm de TSMC, appelée « 4 nm ». Ces puces contiennent chacune 16 milliards de transistors.
Samsung réitère sa feuille de route pour Samsung Foundry
Alors que TSMC et Samsung Foundry expédient des puces de 3 nm, les puces de Sammy utilisent des transistors gate-all-around (GAA) qui permettent à la grille d’entrer en contact avec tous les côtés du canal, réduisant les fuites de tension et fournissant un courant d’entraînement plus important. TSMC utilise toujours des transistors FinFET sur ses puces de 3 nm dont la grille entre en contact avec le canal sur trois côtés. TSMC passera à GAA lorsqu’il lancera sa production de 2 nm en 2025.
Samsung affirme que les premières puces de 2 nm produites en 2025 seront conçues pour être utilisées dans des appareils mobiles tels que les smartphones et les tablettes. En 2026, le nœud de processus de 2 nm sera également fabriqué pour être utilisé dans le calcul haute performance, et l’année suivante, ces puces avancées seront produites pour être utilisées dans les automobiles.
La société a également annoncé qu’elle étendait sa capacité de fabrication de puces en ajoutant des lignes de production à Pyeongtaek, en Corée du Sud, et à Taylor, au Texas.